1. Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
المؤلف: Jacopo Franco • Ben Kaczer ,Guido Groeseneken
المکتبة: کتابخانه زبانهای خارجی و منابع اسلامی (قم)
موضوع: Metal oxide semiconductor field-effect transistors > Reliability. Metal oxide semiconductors, Complementary > Reliability.
رده :
E-Book
,

2. Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
المؤلف: / Jacopo Franco, Ben Kaczer, Guido Groeseneken
المکتبة: المكتبة المركزية مركز التوثيق وتزويد المصادر العلمية (أذربایجان الشرقیة)
موضوع: ELECTRONIC|MATERIALS SCIENCE (uncategorised)&ENGINEERING, ELECTRICAL
رده :
E-BOOK

3. Reliability of high mobility SiGe channel MOSFETs for future CMOS applications
المؤلف: Franco, Jacopo,Jacopo Franco, Ben Kaczer, Guido Groeseneken
المکتبة: كتابخانه و مركز اسناد دانشگاه كردستان (کردستان)
موضوع: Reliability ، Metal oxide semiconductor field-effect transistors,Reliability ، Metal oxide semiconductors, Complementary,، Physics,، Semiconductors,، Circuits and Systems,، Optical and Electronic Materials,، Electronic Circuits and Devices
رده :
TK7871
.
95

